武汉高端光电子器件产业基地二期竣工交付

9 月 28 日，由中建三局承建的武汉高端光电子器件产业基地建设项目二期工程正式竣工交付。项目位于武汉东湖高新区（中国光谷）核心区，是国家光电子信息产业集群的重大承载平台，总建筑面积约 28 万平方米，主要建设超高洁净厂房、研发中试楼、动力站房和化学品仓库等配套设施。二期厂房按照芯片级洁净度标准设计，洁净区等级最高达到 ISO Class 5（百级），对温湿度、微振动、粉尘控制要求极为严苛。施工中应用了装配式洁净风管、BIM 机电综合排布、高精度地面研磨等技术，将大面积高洁净室的一次验收合格率提升至 99% 以上。该基地主要服务于光通信器件、激光雷达和高端传感器的研发与量产，是光谷 "光芯屏端网" 产业生态的关键一环。项目交付后，将填补国内高速光模块和车载激光雷达核心器件本地化制造的产能缺口，预计带动上下游产值超过百亿元。