深圳坑梓科技文化中心 / 汤桦建筑设计事务所

场地位于坪山区坑梓街道光祖公园西侧，光祖南路东侧，吉康路南侧，丹梓东路北侧。场地分为南北两个地块，两地块相距 130 余米，两地块用地面积总计 21543 ㎡。北地块建筑地上 6 层、地下二层，功能包括坪山区科技馆和书城，南地块建筑地上 8 层、地下二层，功能为坪山区文化馆，两地块之间为光祖公园西入口，地下有兼顾停车和人防的公共停车场。

设计把广东地区传统的室外公共活动置入沿街道设置的带型公共开放空间，通过建筑和城市的互动，营造体现市民街道生活的丰富场景，形成各种文化元素互补互动、相辅相成的公共开放空间格局，描绘街道空间 + 民俗烟火气息的生活长卷。